据悉，美国M-Systems公司开发出了4-bit/cell的NAND闪存技术——x4(TM)。M-Systems公司表示，最新x4 NAND闪存容量可以达到目前闪存的2倍。
目前市面上的NAND闪存芯片均采用能够对浮动栅的电量进行分级处理的存储单元MLC（多级单元）技术，设计而成，容量为2-bit/cell。而此次，M-Systems公司开发出了4-bit/cell的NAND闪存技术。虽然在制造工艺上没有什么改变，但相比2-bit/cell MLC NAND晶圆加工技术，x4(TM)可以节省30%的生产成本。
据了解，采用x4技术的NAND闪存产品将于2007年开始量产。
（第三媒体 2006-05-13）