台湾三家内存芯片厂商茂德、力晶、南亚目前都采用90nm工艺生产内存芯片。但是在三星电子、Hynix等内存芯片厂商纷纷采用更先进工艺的压力下,这三家台湾内存芯片厂商均表示,会在明年启用更为先进的70nm工艺。 茂德表示旗下目前的90nm内存芯片生产技术来自于Hynix,目前月产9k片12寸晶圆,茂德预计在今年第4季度开始70nm工艺试生产工作,预计到明年年底将全面采用70nm工艺,然后转向60nm工艺的试生产;力晶表示,将在明年和日本厂商Elipda合作,采用70nm工艺生产DRAM内存芯片和NAND闪存产品。
南亚表示,明年年中将在12寸晶圆三厂采用70nm工艺生产标准型DRAM内存芯片,第一阶段产品是1GB DDR II内存,甚至有可能是DDR III内存。
(第三媒体 2006-04-17)